时间：2025/6/30 13:02:18
阅读：2
SQ3456EV-T1-GE3 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并减少能量损耗。
这款MOSFET具有强大的电流处理能力以及良好的热性能，非常适合高功率密度的应用场景。
型号：SQ3456EV-T1-GE3
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：4000pF
总栅极电荷(Qg)：100nC
封装形式：TO-247
SQ3456EV-T1-GE3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，可以有效减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，适合大功率应用。
4. 出色的热稳定性和可靠性，保证长时间运行。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 提供优秀的雪崩能力和短路耐受时间，增强了系统保护功能。
该器件适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类DC-DC转换器中作为功率开关。
3. 电动车辆及工业电机驱动中的逆变桥臂元件。
4. 大功率LED照明驱动电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
6. 其他需要高效功率控制的应用场景。
SQ3456EP-T1-GE3, IRF3710, FDP18N60C
