SQ27000SIC是一款基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET功率器件,广泛应用于高电压、高频开关场景。该芯片结合了碳化硅材料的优异性能,具备高效率、低导通电阻和快速开关能力,适用于新能源汽车、光伏逆变器、服务器电源和工业电机驱动等高要求领域。
与传统的硅基MOSFET相比,SQ27000SIC在高温环境下具有更高的稳定性和更低的能量损耗,同时支持更小的系统尺寸和更高的工作频率,从而优化整体设计并提升系统性能。
型号:SQ27000SIC
类型:SiC MOSFET
VDS(漏源极电压):1200V
RDS(on)(导通电阻):30mΩ
ID(持续漏电流):27A
栅极电荷(Qg):95nC
输入电容(Ciss):1460pF
输出电容(Coss):80pF
反向恢复时间(trr):50ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
SQ27000SIC采用先进的碳化硅制造工艺,具备以下显著特点:
1. 高电压耐受能力:支持高达1200V的工作电压,适合高压应用环境。
2. 超低导通电阻:仅30mΩ的RDS(on),有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度:极低的栅极电荷和反向恢复时间,减少开关损耗并提高工作效率。
4. 宽温操作范围:从-55℃到+175℃的宽温度区间确保其在极端条件下的可靠性。
5. 高频工作能力:能够以更高的频率运行,减小无源元件体积,从而实现紧凑型设计。
6. 零反向恢复电荷:无体二极管反向恢复问题,进一步改善系统效率。
这些特性使SQ27000SIC成为高性能功率转换和控制应用的理想选择。
SQ27000SIC主要应用于以下领域:
1. 新能源汽车中的DC-DC转换器和车载充电器。
2. 光伏逆变器中用于高效能量转换。
3. 数据中心和服务器电源模块,提供更高的功率密度。
4. 工业电机驱动,支持高频PWM控制和快速动态响应。
5. UPS不间断电源系统,增强系统的可靠性和效率。
6. 开关电源(SMPS)以及各种需要高压大电流处理的应用场景。
C2M0080120D, STPSC25N120, FGA2S27BD120B