BDFN2C051UF2是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用超小型DFN封装。该器件主要用于高效开关应用中,例如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等。其低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合需要低功耗和高效率的应用场景。
BDFN2C051UF2通过优化设计实现了极低的导通损耗和开关损耗,同时具备出色的热性能,确保在高温环境下的稳定运行。此外,它还具有快速开关速度和良好的抗电磁干扰能力。
类型:N沟道 MOSFET
封装:DFN2x2-8
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
连续漏极电流(Id):60A(Tc=25°C)
总功耗(Ptot):17W(Tc=25°C)
工作温度范围:-55°C至+175°C
栅极电荷(Qg):9nC(典型值)
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,减少开关损耗并提升高频应用中的性能。
3. 小型化封装设计(DFN2x2-8),节省PCB空间。
4. 高额定电流(60A),适用于大功率应用场景。
5. 宽工作温度范围(-55°C至+175°C),适合各种严苛环境。
6. 具备优异的热性能,有助于散热管理。
7. 抗静电能力强,符合人体模型(HBM)8kV标准。
8. 绿色环保,符合RoHS规范。
1. DC-DC转换器及电源管理模块。
2. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
3. 电动工具和电机驱动控制。
4. 笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 汽车电子系统中的电池保护和管理系统。
7. 高效能LED驱动电路。
8. 太阳能逆变器及储能系统中的功率调节。
BSC016N04LSG,BSTP066N04LSG,IRLML6402