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SQ2361EES-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/30 13:08:26 查看 阅读:4

SQ2361EES-T1-GE3 是一款基于硅工艺制造的高速光电晶体管,属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的光耦合器系列。该器件主要用于信号隔离应用,能够将电信号通过光的形式进行传输,从而实现电气隔离。其设计确保了高共模抑制比和良好的噪声免疫性能,适用于工业、通信和消费类电子领域。

参数

类型:光电晶体管
  封装:DIP-4
  工作温度范围:-40℃ 至 +110℃
  集电极-发射极电压(VCEO):70V
  集电极电流(IC):50mA
  输入电流(IF):10mA
  最小CTR(电流传输比):20%
  上升时间:4μs
  下降时间:2μs
  隔离电压:5000Vrms

特性

SQ2361EES-T1-GE3 提供了出色的电气隔离性能,适合在高压环境下使用。
  该器件采用双列直插式封装(DIP-4),便于安装和焊接。
  其典型应用包括开关电源反馈电路、工业控制信号隔离以及医疗器械中的安全隔离。
  由于其低功耗特性和较快的响应速度,SQ2361EES-T1-GE3 成为众多隔离应用场景的理想选择。
  此外,它符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

该芯片广泛应用于需要电气隔离的场合,例如开关电源的次级侧反馈回路、电机控制器中的信号隔离、工业自动化设备的输入输出接口以及医疗设备中的患者保护隔离等。其高可靠性使得它非常适合对安全性要求较高的应用环境。

替代型号

SQ2361EESR-T1-G, TLP291-4, HCPL-263L

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SQ2361EES-T1-GE3参数

  • 特色产品SQ Series Power MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 2.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds545pF @ 30V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SQ2361EES-T1-GE3TR