类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：4A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V～3V
　　最大功耗（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C～150°C
　　封装类型：TO-252、TO-220

FQP04N06具有多项出色的电气特性，适用于中等功率的开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件的栅极阈值电压较低，通常在1V至3V之间，使其易于与标准逻辑电路驱动器配合使用，降低了驱动电路的复杂性和成本。
　　该MOSFET的耐压能力达到60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电压变换器和电机控制电路。最大漏极电流为4A，使其在中等功率负载下表现出色，如电源适配器、LED驱动器和电池充电电路。
　　FQP04N06的封装形式通常为TO-252或TO-220，具有良好的散热性能，能够有效将热量从芯片传导到外部环境，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。同时，其热阻较低，有助于提高器件在高温环境下的可靠性。
　　此外，FQP04N06具有良好的抗雪崩能力和高能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提高了系统的整体鲁棒性。

FQP04N06广泛应用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、LED照明驱动器和电池管理系统。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合用于高频率开关应用，帮助降低功率损耗并提升系统效率。此外，该器件还可用于工业自动化设备、电动车控制系统和消费类电子产品中的功率开关和负载管理。
　　在开关电源中，FQP04N06可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在电机控制电路中，它可以作为H桥的一部分，实现电机的正反转和调速控制。在LED驱动器中，该MOSFET可以用于调节输出电流，实现高精度的亮度控制。由于其良好的热性能和高可靠性，FQP04N06也常用于电池充电器和便携式设备的电源管理模块。

IRLML0030, FDN337N, 2N7002K