类型：N 沟道
　　最大漏极电流 (Id)：28A
　　最大漏极-源极电压 (Vds)：30V
　　最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.012Ω（典型值）
　　漏极连续电流 (Id)：28A（Tc=25°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　功耗 (Pd)：100W

SPU28N03L 具有多个显著的性能特点。首先，其极低的导通电阻可以显著减少导通损耗，提高整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽结构技术，使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。
　　此外，SPU28N03L 的 PowerFLAT 5x6 封装提供了良好的热管理能力，使得该 MOSFET 在高功率密度设计中表现优异。这种封装方式还具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的应用场景。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，通常可以使用 4.5V 至 20V 的栅极电压进行驱动，因此兼容多种驱动电路。同时，其较高的最大工作温度上限（175°C）确保了其在高温环境下的稳定性与可靠性。
　　SPU28N03L 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的电源系统。

SPU28N03L 主要应用于电源管理领域，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动、电源分配系统以及各种高效率功率开关电路。该器件也适用于需要高电流能力与低导通电阻的汽车电子系统，如车载充电器、启动系统和电源管理系统。
　　由于其出色的热性能和高频开关能力，SPU28N03L 在开关电源（SMPS）和同步整流器中也具有广泛应用。此外，在工业自动化设备、UPS 系统、LED 驱动器以及消费类电子产品中，该 MOSFET 也常用于实现高效的功率控制。

SPU28N03L 可以被以下型号替代：IRF3703、STP28NF3LL、IPD28N03L、FDS4435BZ，或者更现代的 SiHF28N03DY。这些型号在性能和封装上与 SPU28N03L 具有相似的特性，可根据具体应用需求选择使用。