时间：2025/6/19 15:47:17
阅读：1
VG039NCHXTB101 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有优异的开关特性和较低的功率损耗。
其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及出色的热稳定性，能够满足工业级和消费级电子产品的多样化需求。
型号：VG039NCHXTB101
类型：N沟道MOSFET
封装形式：TO-252/DPAK
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：48A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ（在 VGS=10V 时）
功耗(PD)：240W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
VG039NCHXTB101 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高耐压能力，能够在较高电压环境下稳定运行。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 良好的热性能，能够承受较高的功率密度。
5. 紧凑的封装设计，节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 工业自动化设备中的功率管理。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. LED 驱动器和照明解决方案。
6. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
IRFZ44N, FDP5570, AO3400
