类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：120V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：35A（在25°C）
　　脉冲漏极电流(Idm)：140A
　　导通电阻(Rds(on))：最大22mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

SPS4012FT220 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下具有较低的传导损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其非常适合用于高频开关应用，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，具有优良的热管理和小型化设计，适用于空间受限的高密度电路板布局。这种封装还具有较低的热阻（Rth），有助于快速散热，从而提升器件的可靠性和寿命。
　　SPS4012FT220的硅工艺和结构设计确保了其在高负载条件下的稳定性和耐用性。其最大漏源电压为120V，能够承受较高的电压应力，适用于各种中高功率的电源应用，如AC-DC适配器、服务器电源、工业电源和电动汽车充电系统等。
　　此外，该器件具有出色的短路耐受能力和抗雪崩能力，能够在异常工况下保持稳定运行，减少故障率并提高系统安全性。

SPS4012FT220 MOSFET广泛应用于多种电力电子设备和系统中。它特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换器，例如同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动电路。
　　在服务器和通信设备电源系统中，该器件能够有效提升能效，降低运行温度，从而延长设备使用寿命并减少维护成本。同时，它也常用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中的功率模块。
　　由于其优异的热管理和高电流承载能力，SPS4012FT220也被广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统中，以满足现代新能源汽车对高性能功率器件的严苛要求。

STP35NF12, IPP045N10N3, FDPF4012