型号：SPP3467
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：120A
　　脉冲漏极电流IDM：360A
　　导通电阻RDS(on)（max）：4.6mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：3.8mθ @ VGS=10V
　　栅极电荷Qg（典型值）：75nC @ VDS=48V, ID=60A
　　输入电容Ciss：3400pF @ VDS=30V
　　开启延迟时间td(on)：25ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns
　　反向恢复时间trr：25ns
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　功耗PD：250W
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

SPP3467采用先进的沟槽型MOSFET工艺结构，这种设计能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而在相同封装尺寸下实现更高的电流承载能力与更低的能量损耗。其典型的导通电阻仅为3.8mΩ，在60V耐压等级的N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它在大电流应用中表现出色，有效减少I2R损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为75nC，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，进而降低开关损耗，特别适合用于高频率工作的同步整流、半桥/全桥拓扑等场合。
　　SPP3467具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，其最大功耗可达250W，并支持宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃），可在恶劣环境条件下可靠运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=25ns），可减少换流过程中的能量损失和电压尖峰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。器件还具备较强的抗浪涌电流能力，脉冲漏极电流可达360A，使其在启动或瞬态负载变化时仍能保持稳定工作。TO-252封装不仅提供了优良的散热路径，也便于在PCB上进行自动化贴装，适用于大规模生产。综合来看，SPP3467在性能、可靠性与性价比之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中高端电源系统的优选功率器件。

SPP3467因其优异的电气性能和高可靠性，被广泛应用于各类中低功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和嵌入式电源模块，在这些应用中作为主开关管或同步整流管使用，以提升转换效率并减小体积。在DC-DC变换器中，尤其是在降压（Buck）、升压（Boost）以及Buck-Boost拓扑结构中，SPP3467凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低传导和开关损耗，提高电源的整体效能。此外，该器件也常用于电机驱动电路，例如电动工具、家用电器中的直流无刷电机控制，以及工业自动化设备中的H桥驱动电路，提供高效的功率切换能力。
　　在新能源相关领域，SPP3467可用于太阳能微型逆变器、储能系统的充放电控制回路，以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。由于其具备较强的抗浪涌能力和稳定的高温工作性能，也可用于通信基站电源、网络交换机和路由器的内部供电单元。另外，得益于其表面贴装封装形式，SPP3467非常适合需要紧凑布局和高效散热设计的现代电子产品，尤其适合追求小型化与高功率密度的设计需求。总体而言，SPP3467是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于从消费级到工业级的多种应用场景。

SPW3467
　　APM3467
　　IRF3467
　　UTC3467