类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A（在Tc=25℃时）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　导通电阻(Rds(on))：约7.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：S-Mini（表面贴装）

2SK2885STL具备低导通电阻的特性，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提升系统的整体效率。该器件的高速开关能力使其非常适合高频应用，如DC-DC转换器和电源管理模块。此外，其表面贴装封装设计不仅节省PCB空间，还提高了装配效率，有利于自动化生产。
　　这款MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，便于与各种驱动电路配合使用。2SK2885STL在设计上优化了跨导和漏源电容，从而提高了高频响应性能，降低了开关损耗。
　　该器件的封装材料符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。同时，其内部结构设计也提高了抗静电能力和耐用性，确保在复杂电磁环境下稳定运行。

2SK2885STL广泛应用于多种电源管理系统中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其高效率和小尺寸封装，也常用于便携式设备、工业自动化设备、通信设备以及车载电子产品中的功率控制模块。
　　在服务器和计算机电源系统中，2SK2885STL可以作为高效能的功率开关元件，用于提高电源转换效率并减少热量产生。在LED照明驱动电路中，它可用于高频率PWM调光控制，提供稳定的电流输出。此外，该MOSFET也可用于逆变器、UPS（不间断电源）以及光伏逆变系统中，作为关键的功率控制元件。

2SK3084, 2SK3438, Si4410DY