时间：2025/6/10 16:43:40
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SPP2304S23RG 是一款基于硅工艺的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适合应用于各种需要高效能功率转换的场合。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用中。
该芯片封装形式为 SOT-23 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：3nC
总电容：95pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SPP2304S23RG 的主要特点是其具备非常低的导通电阻，从而能够减少传导损耗并提高整体效率。此外，由于采用了先进的制程技术，这款 MOSFET 具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗。
它的紧凑型 SOT-23 封装使其非常适合于对空间要求较高的便携式设备设计。同时，该器件具有良好的热性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。这使得它成为众多工业级和消费类电子产品的理想选择。
另外，该产品支持高频开关操作，这对现代电源管理系统的优化至关重要。
SPP2304S23RG 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电池保护电路
4. 消费类电子产品中的负载开关
5. 小型电机控制与驱动
6. 移动设备中的电源管理单元
7. 各种低压、小电流的功率转换场景
AO3400A
IRLML6401TRPBF
FDP18N04L
