SPP17N80C3是一款高压功率MOSFET,采用N沟道增强型技术。该器件属于英飞凌(Infineon)的CoolMOS系列,专为高频开关应用设计。其高击穿电压和低导通电阻使得它在开关电源、DC-DC转换器、电机控制等领域表现出色。SPP17N80C3使用TO-247封装形式,便于散热和安装。
该型号的特点在于优化了栅极电荷,从而降低了开关损耗,同时提高了系统的效率和可靠性。其出色的性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:17A
导通电阻(典型值):265mΩ
栅极阈值电压:4V
功耗:345W
工作结温范围:-55℃至+175℃
SPP17N80C3具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(800V),适用于高压环境。
2. 低导通电阻(265mΩ),减少传导损耗。
3. 优化的栅极电荷,降低开关损耗。
4. 快速开关速度,适合高频应用。
5. 良好的热稳定性,确保高温下可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使SPP17N80C3成为高效功率转换的理想选择,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
SPP17N80C3广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 不间断电源(UPS)
6. 充电器
由于其高压和高效性能,SPP17N80C3能够满足多种功率变换需求,特别是在要求紧凑设计和高效率的应用中表现尤为突出。
IPP17N80C3
STP17NB80C3
IRFPG50