类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：120A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ（最大值，典型值 4.2mΩ）
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

SPNZ801028 TR 具备优异的导通性能和热稳定性。其低 Rds(on) 特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流能力使其适用于高功率应用，例如汽车电子系统、工业电源和电机驱动器。此外，该 MOSFET 支持高频开关操作，有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而提升整体系统功率密度。器件内部采用先进的沟槽技术，优化了电场分布，增强了器件的耐用性和稳定性。此外，其 PowerFLAT 封装具有优良的热管理和机械可靠性，适合在高温环境下运行。器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过压和过流冲击，从而提高系统的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动特性也经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现快速开关，从而减少驱动电路的复杂性。这种特性特别适用于基于数字控制的电源管理系统。此外，SPNZ801028 TR 在高温下仍能保持稳定的 Rds(on)，确保在恶劣工作环境下器件性能不受影响。

SPNZ801028 TR 广泛应用于汽车电子、工业自动化、电源管理和电机控制等领域。具体应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及高功率密度电源模块。其高效率和高可靠性的特性使其非常适合用于新能源汽车（如电动汽车和混合动力汽车）的电源管理系统中。此外，该器件也可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，以提高整体系统的能量转换效率。

STP120N10F7-2，IRF120N10DPbF，FDP120N10F