时间：2025/6/13 18:26:20
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RGT50NS65DGTL 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，专为高频和高效率应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和栅极电荷，从而在开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域表现出优异的性能。
这款 MOSFET 的耐压能力达到 650V，使其非常适合需要较高电压操作的应用场景。此外，其封装形式通常为 TO-220 或类似标准封装，便于安装和散热。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：45nC
总电容：300pF
功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RGT50NS65DGTL 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：650V 的漏源电压允许其应用于多种高压场景。
2. 低导通电阻：0.18Ω 的典型导通电阻能够减少传导损耗，提升系统效率。
3. 低栅极电荷：45nC 的栅极电荷有助于降低开关损耗，适合高频应用。
4. 快速开关速度：优化的内部结构使得器件具备快速开关能力。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度确保其在极端环境下的可靠性。
6. 标准封装：TO-220 封装易于集成到现有设计中，并提供良好的散热性能。
RGT50NS65DGTL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：适用于各种 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：用于控制和驱动中小型电机。
3. 工业逆变器：作为功率级的关键元件，实现高效的能量转换。
4. LED 照明驱动：提供高效且可靠的电流调节功能。
5. 太阳能微逆变器：帮助提高太阳能系统的整体效率。
6. 各类高频功率转换设备：例如电子负载和测试设备。
RFP50N06LE, IRF540N, FDP50N06L
