供电电压范围：8V ~ 20V
　　输出驱动电流（峰值）：±5A（典型值）
　　传播延迟时间：20ns（典型值）
　　上升/下降时间：8ns/7ns（典型值，1000pF负载）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：14引脚 TSSOP

GS6150-INTE3Z具备多项高性能特性，首先是其宽范围的供电电压设计（8V ~ 20V），使其能够兼容多种电源系统，包括12V、15V及18V供电的MOSFET驱动应用。该芯片内部集成了高边和低边驱动器，并采用自举供电技术，有效简化外围电路设计。
　　该器件具有极低的传播延迟（Typ. 20ns）以及快速的上升和下降时间，适合高频开关应用，有助于提高电源系统的效率并降低开关损耗。其输出驱动能力高达±5A，能够有效驱动高栅极电荷（Qg）的大功率MOSFET或IGBT器件。
　　在保护功能方面，GS6150-INTE3Z内置欠压锁定（UVLO）保护机制，防止在供电电压不足时误触发功率管。此外，其输入端具备一定的噪声抑制能力，提高了在高噪声环境下的工作可靠性。
　　该芯片的14引脚TSSOP封装不仅节省空间，还便于PCB布局布线，适用于高密度电源模块设计。其-40°C至+125°C的工作温度范围确保其在各种工业环境下的稳定运行。

GS6150-INTE3Z广泛应用于各类电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动控制电路、UPS不间断电源系统、LED驱动器以及功率因数校正（PFC）模块等。其高频驱动能力和高集成度设计使其成为高性能电源转换设备中的理想选择。
　　在工业自动化控制领域，GS6150-INTE3Z可用于伺服电机驱动、变频器和工业电源模块。在汽车电子领域，该芯片适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的功率开关控制。此外，在新能源系统如太阳能逆变器和储能系统中，GS6150-INTE3Z也具备良好的应用前景。

Si8235BB-D-ISR, IRS2104S, LM5101B, TC4420