时间：2025/12/22 18:00:47
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CC45SL3AD101JYVNA是一款由制造商生产的高性能、高精度的表面贴装陶瓷电容，属于多层陶瓷电容器（MLCC）类别。该型号电容器采用先进的陶瓷介质材料与镍/钯内电极技术，具有优异的电气性能和长期稳定性，适用于对可靠性和温度特性要求较高的电子设备中。其命名规则符合EIA标准，其中'CC'通常代表陶瓷电容，'45SL3A'为尺寸代码或系列代号，'D'表示介质类型（如C0G/NP0），'101'代表标称电容值为100pF（即10 × 10^1 pF），'J'表示电容公差为±5%，'Y'和'VNA'可能代表端接方式、包装形式或特定厂商的产品标识。该器件广泛应用于高频电路、射频模块、精密滤波器、振荡器以及工业控制设备中，因其低损耗、高Q值和良好的频率响应而受到青睐。此外，CC45SL3AD101JYVNA符合RoHS环保标准，适合无铅回流焊工艺，具备出色的抗湿性和机械强度，能够在严苛环境下稳定工作。
电容值：100pF
电容公差：±5%
额定电压：50V
介质材料：C0G (NP0)
温度系数：0 ±30ppm/°C
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
端接类型：镍/钯/金电极
产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
应用等级：工业级
安装方式：表面贴装（SMD）
CC45SL3AD101JYVNA所采用的C0G（NP0）陶瓷介质赋予其极高的电容稳定性，无论是在温度变化、电压波动还是时间推移的情况下，电容值几乎不发生改变，是所有陶瓷介质中稳定性最高的类型之一。这种材料具有接近零的温度系数，确保在-55°C至+125°C的工作温度范围内电容值的变化小于±30ppm/°C，非常适合用于需要精确频率控制和相位稳定性的应用场景，例如LC谐振电路、晶体振荡器和带通滤波器等。此外，C0G介质还表现出极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.1%），从而显著降低信号传输过程中的能量损耗，提升系统整体效率。
该器件的结构设计采用了超薄层压技术，实现多层陶瓷堆叠，在保证小型化的同时维持优良的电气性能。其0402封装尺寸（1.0mm × 0.5mm）使其成为高密度PCB布局的理想选择，特别适用于空间受限的便携式电子设备和高集成度通信模块。尽管体积小巧，但其耐压能力达到50V，能够满足大多数低压模拟和射频电路的需求。端电极为镍/钯/金三层金属化结构，提供良好的可焊性、抗迁移能力和长期可靠性，有效防止因银离子迁移导致的短路问题。
由于其非铁电性介质特性，CC45SL3AD101JYVNA在不同直流偏置电压下不会出现电容下降的现象，这一点与X7R、X5R等高介电常数材料制成的电容形成鲜明对比。因此，在要求线性响应和恒定阻抗特性的电路中，该器件表现尤为出色。同时，它具有优异的抗老化性能，电容值不会随时间推移而显著衰减，确保产品在整个生命周期内的稳定运行。综合来看，这款电容在高频性能、热稳定性、尺寸紧凑性和长期可靠性方面达到了良好平衡，是高端模拟和射频设计中的关键元件之一。
CC45SL3AD101JYVNA因其卓越的电气特性和环境适应性，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频与无线通信领域，常用于匹配网络、滤波器、耦合与去耦电路以及天线调谐模块中，尤其适合Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、蜂窝通信（如LTE、5G）等高频信号处理场景。由于其稳定的电容值和低损耗特性，能有效减少信号失真并提高传输效率。
在精密模拟电路中，该电容常用于有源滤波器、运算放大器反馈回路、ADC/DAC参考电压旁路等场合，确保信号链的准确性和稳定性。在时钟生成和定时电路中，作为晶振负载电容使用时，能够保障频率精度和长期稳定性，避免因温度漂移引起的时序偏差。
此外，该器件也适用于工业自动化、医疗电子、测试测量仪器和汽车电子等领域，特别是在需要高可靠性和宽温工作的环境中表现突出。例如，在汽车ECU、传感器接口电路或车载信息娱乐系统中，可用于电源去耦和噪声抑制。其符合RoHS标准且支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色制造流程。
GRM1555C1H101JA01D
CL2010NG1H101JBAN
