SPN020190YTX 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管专为高功率、高效率应用设计,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性。SPN020190YTX 采用 TO-220 封装,适用于各种电源管理和功率转换电路,如 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等。其高耐压和大电流能力使其在工业和汽车应用中表现出色。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):200V
最大漏极电流(Id):190A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):约0.7mΩ(最大值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
最大功耗(Ptot):300W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
SPN020190YTX 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件可在高电压(最高200V)和高电流(最高190A)条件下稳定工作,适合用于高功率密度设计。其快速开关特性减少了开关损耗,从而提高了系统效率并降低了散热需求。
此外,SPN020190YTX 具有良好的热稳定性,能够在极端温度环境下正常工作,其工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,非常适合用于高温或高可靠性要求的应用,如汽车电子、工业电源和太阳能逆变器等。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压情况下保持稳定运行,增强了系统的鲁棒性。其封装形式为 TO-220,具有良好的散热性能,便于安装在标准散热器上。
SPN020190YTX 常用于需要高功率和高效率的电力电子系统中。例如,在工业领域中,它可以用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和不间断电源(UPS)系统。在汽车应用中,该器件适用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)和电动助力转向系统(EPS)等场景。
此外,SPN020190YTX 也广泛应用于新能源领域,如光伏逆变器、储能系统和电动车充电设备。其高耐压和大电流能力使其在这些高功率应用中表现出色,同时其低导通电阻也有助于提高系统整体效率。由于其出色的热稳定性和可靠性,该器件也常用于需要长时间连续运行的工业自动化设备和智能电网系统。
STP190N20F7-1, IPW90R007S20A2KSA1