型号：SPHWH2L3D30ED4RTN3
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　传感器类型：霍尔效应数字开关
　　工作电压范围：3.0V 至 5.5V
　　静态电流：典型值 5.5mA
　　输出类型：开漏输出（Open-Drain）
　　磁感应阈值（BOP）：典型值 30Gauss
　　释放点（BRP）：典型值 20Gauss
　　回差磁场（BHP）：典型值 10Gauss
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　响应时间：典型值 1μs
　　灵敏度方向：垂直于封装表面
　　ESD耐受能力：±4kV（HBM）
　　认证标准：AEC-Q100（适用于汽车级版本）

SPHWH2L3D30ED4RTN3霍尔传感器采用了先进的BiCMOS制造工艺，结合了CMOS逻辑电路与双极型晶体管的优点，使其在保持低功耗的同时具备出色的磁响应性能。该器件内部集成了稳压电路、霍尔元件、前置放大器、施密特触发器以及输出驱动模块，能够直接输出干净且稳定的数字信号，无需外部额外的信号调理电路，从而简化系统设计并降低整体成本。其内置的动态偏移消除技术有效抑制了温度漂移和机械应力带来的误差，确保在-40°C至+150°C的宽温范围内仍能维持高度一致的磁开关行为。这种高稳定性和重复性使其特别适用于需要长期可靠运行的工业和汽车应用场景。
　　该传感器具有极快的响应速度，典型值仅为1微秒，能够实时捕捉高速旋转或移动部件的位置变化，非常适合用于无刷直流电机（BLDC）换相控制、转速测量和编码器替代方案。其开漏输出结构支持与各种微控制器和逻辑电路的无缝接口，同时允许通过上拉电阻灵活配置输出电平，兼容3.3V和5V系统。此外，器件具备良好的电磁兼容性（EMC），能够在强电磁干扰环境中稳定工作，避免误触发或信号失真。
　　SPHWH2L3D30ED4RTN3还具备优异的磁灵敏度一致性，批次间差异小，有利于大规模生产时的产品一致性管理。其SOT-23小型化封装不仅节省PCB空间，而且热阻较低，有助于散热。整个器件经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环和湿度敏感等级评估，确保在恶劣环境下仍能长期稳定运行。这些综合特性使得SPHWH2L3D30ED4RTN3成为现代智能传感系统中理想的磁检测解决方案之一。

SPHWH2L3D30ED4RTN3广泛应用于多个领域，尤其在需要非接触式位置检测和速度监控的系统中表现突出。在工业自动化方面，它常被用于电机转子位置检测、气缸活塞行程监控、阀门状态识别以及旋转编码器中的磁环感应，能够有效提升设备的响应速度和控制精度。在汽车电子系统中，该传感器可用于变速箱档位检测、油门踏板位置感知、电动助力转向（EPS）系统中的扭矩传感辅助以及车窗升降器的防夹保护功能，凭借其高可靠性和宽温适应能力，满足严苛的车载环境要求。
　　在消费类电子产品中，SPHWH2L3D30ED4RTN3可用于笔记本电脑翻盖检测、智能家电门盖开关识别以及无线充电设备的对准提示系统，实现低功耗且灵敏的状态切换。此外，在白色家电如洗衣机、洗碗机中，可用于检测滚筒位置或门锁状态，提高系统的安全性和智能化水平。由于其具备电流隔离检测潜力，配合磁芯也可用于非侵入式电流传感方案，应用于电源管理系统或电池监控单元中。总体而言，该器件适用于任何需要高精度、小体积、低功耗磁感应功能的场合，是现代电子系统中不可或缺的关键传感元件。

SPHWE2L3D30ED4RTN3
　　SPHWH2L3D25ED4RTN3
　　AH3371Q