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SPHE8268H-I 发布时间 时间:2025/5/12 8:52:14 查看 阅读:23

SPHE8268H-I 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  SPHE8268H-I 主要应用于需要高效能和低损耗的场合,例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。

参数

型号:SPHE8268H-I
  类型:N沟道功率MOSFET
  VDS(漏源极耐压):80V
  RDS(on)(导通电阻):3.5mΩ(典型值,VGS=10V)
  IDS(连续漏极电流):100A
  栅极电荷:7nC(典型值)
  工作温度范围:-5°C
  封装形式:TO-247

特性

SPHE8268H-I 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关性能,适合高频应用,能够有效降低开关损耗。
  3. 高电流承载能力,支持高达 100A 的连续漏极电流。
  4. 强劲的热性能表现,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。

应用

SPHE8268H-I 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用于提供高效的能量转换。
  2. 电机驱动电路,实现精确的电流控制。
  3. DC-DC 转换器,优化电压调节功能。
  4. 太阳能逆变器,用于光伏系统的电力管理。
  5. 工业自动化设备中的功率开关模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换控制。

替代型号

SPHE8268H-D, IRF840, STP100N10F5

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