时间：2025/5/12 8:52:14
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SPHE8268H-I 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
SPHE8268H-I 主要应用于需要高效能和低损耗的场合，例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
型号：SPHE8268H-I
类型：N沟道功率MOSFET
VDS（漏源极耐压）：80V
RDS(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：100A
栅极电荷：7nC（典型值）
工作温度范围：-5°C
封装形式：TO-247
SPHE8268H-I 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关性能，适合高频应用，能够有效降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持高达 100A 的连续漏极电流。
4. 强劲的热性能表现，能够在高温环境下稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
SPHE8268H-I 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提供高效的能量转换。
2. 电机驱动电路，实现精确的电流控制。
3. DC-DC 转换器，优化电压调节功能。
4. 太阳能逆变器，用于光伏系统的电力管理。
5. 工业自动化设备中的功率开关模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换控制。
SPHE8268H-D, IRF840, STP100N10F5
