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SPH201610H2R2MT 发布时间 时间:2025/5/28 17:01:55 查看 阅读:6

SPH201610H2R2MT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够在高频条件下提供卓越的效率和可靠性。
  此型号属于功率半导体家族,广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。

参数

型号:SPH201610H2R2MT
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):100V
  最大栅极源极电压(Vgss):±20V
  连续漏极电流(Id):135A
  导通电阻(Rds(on)):2mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):340W
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

SPH201610H2R2MT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(2mΩ),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力(高达 135A),使其适合于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,支持高频运行以优化设计尺寸和成本。
  4. 强大的热稳定性,可在极端温度范围内可靠工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
  6. 具有出色的雪崩能力和抗 ESD 性能,增强了器件的鲁棒性。

应用

SPH201610H2R2MT 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 工业设备中的电机控制与驱动。
  3. 汽车电子系统的负载切换和保护电路。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  5. 高效 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  6. 大功率 LED 照明驱动电路中的关键组件。

替代型号

SPH201610H2R1MT, IRF840, FDP5800

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SPH201610H2R2MT参数

  • 现有数量1,900现货
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)2,000 : ¥1.36500卷带(TR)
  • 系列SPH
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感2.2 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)1.1 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)1.45A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)264 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0806(2016 公制)
  • 供应商器件封装806
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)