SPH201610H2R2MT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够在高频条件下提供卓越的效率和可靠性。
此型号属于功率半导体家族,广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。
型号:SPH201610H2R2MT
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):100V
最大栅极源极电压(Vgss):±20V
连续漏极电流(Id):135A
导通电阻(Rds(on)):2mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):340W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
SPH201610H2R2MT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(2mΩ),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力(高达 135A),使其适合于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,支持高频运行以优化设计尺寸和成本。
4. 强大的热稳定性,可在极端温度范围内可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
6. 具有出色的雪崩能力和抗 ESD 性能,增强了器件的鲁棒性。
SPH201610H2R2MT 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 工业设备中的电机控制与驱动。
3. 汽车电子系统的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 高效 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
6. 大功率 LED 照明驱动电路中的关键组件。
SPH201610H2R1MT, IRF840, FDP5800