RB501VM-40TE17 时间：2025/12/25 13:49:24 阅读：20

RB501VM-40TE17是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型表面贴装封装。该器件专为高效率、低功耗应用设计，适用于便携式电子设备和空间受限的电路板布局。其主要特点包括低正向电压降、快速开关响应以及良好的热稳定性，能够在高频开关电源和整流电路中有效减少能量损耗。该二极管的反向耐压为40V，最大平均整流电流为500mA，适合用于DC-DC转换器、电池充电管理、逆变器保护电路以及信号整流等场景。SOD-123FL封装具有较小的占位面积和低高度，便于实现紧凑型设计，并具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。此外，该产品符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

型号：RB501VM-40TE17
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大正向平均整流电流（IO）：500mA @ 85°C
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：2A
　　最大正向电压降（VF）：520mV @ 200mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：50μA @ 40V, 25°C；500μA @ 40V, 100°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2

特性

RB501VM-40TE17的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成单向导电特性，显著降低了传统PN结二极管的正向导通压降。在200mA电流下，其典型正向电压仅为520mV，相比普通硅二极管约700mV以上的压降，能够大幅减少功率损耗并提升系统整体效率。这一特性使其特别适用于低电压、高效率的电源转换应用，例如3.3V或5V供电系统的续流或防倒灌电路。由于没有少数载流子的积累效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，反向恢复时间trr典型值仅为5ns，远低于普通整流二极管的数百纳秒级别。这意味着在高频开关环境下（如DC-DC变换器中的续流二极管），它能有效抑制反向恢复电流引起的尖峰噪声和电磁干扰（EMI），从而提高电源稳定性。
　　该器件还具备出色的热性能和可靠性。SOD-123FL封装虽然体积小巧，但通过优化内部引线和芯片连接工艺，在保持小尺寸的同时实现了良好的热传导能力，支持高达150°C的最大结温，适用于高温环境下的长期运行。此外，其反向漏电流在高温条件下控制得当，在100°C时最大为500μA，虽高于低温状态但仍处于可接受范围，适用于大多数消费类和工业级应用。器件的机械强度和焊接兼容性也经过严格测试，支持回流焊工艺，适应自动化贴片生产线的需求。ROHM在制造过程中实施严格的品质管控，确保产品的一致性和长期供货能力。同时，该型号采用无铅镀层和绿色封装材料，符合国际环保法规要求，适合出口型电子产品使用。

应用

RB501VM-40TE17广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子系统中。常见用途包括便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，作为DC-DC升压或降压电路中的同步整流替代或续流二极管，帮助延长电池续航时间。在适配器、充电器和USB供电模块中，该二极管可用于次级侧整流或输出端防反接保护，利用其低VF特性降低发热风险。此外，它也被用于LCD背光驱动电路、LED照明电源以及小型逆变器中，提供快速响应和稳定的电流路径。
　　在通信设备领域，RB501VM-40TE17可用于信号路径中的钳位或保护电路，防止瞬态电压损坏敏感IC。其快速响应能力有助于抑制ESD（静电放电）和电感负载断开时产生的反向电动势。在工业控制和汽车电子中，尽管其电流承载能力有限，但在低功率传感器模块、ECU辅助电源或车载信息娱乐系统的低压电源部分仍有应用价值。另外，由于其小型封装特性，非常适合用于高密度PCB布局，尤其是在空间受限的模块化设计中，如无线模块、蓝牙耳机电源管理板等。总之，任何需要低功耗、高效率和小尺寸整流功能的应用场景都是RB501VM-40TE17的理想选择。