时间：2025/9/4 0:52:28
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SPE05M50T是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。这款MOSFET基于先进的技术设计，能够在高效率和低损耗条件下运行，适用于各种电源管理和功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：50W
SPE05M50T具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的平面条纹和工艺技术，提供了卓越的雪崩能量能力，确保在极端条件下也能稳定运行。此外，SPE05M50T具备良好的热稳定性和耐久性，使其适用于高可靠性要求的应用场景。
该MOSFET的封装形式为TO-220，这种封装便于散热并支持较高的功率密度。SPE05M50T还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路。
另外，SPE05M50T具备良好的抗过载和短路保护能力，可以在高应力条件下保持稳定运行，提高了系统的整体可靠性和安全性。
SPE05M50T广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和负载开关等场景。由于其高耐压和良好的热管理能力，该器件也适用于工业自动化设备、照明系统以及消费类电子产品中的高功率控制模块。
STP5NK50Z、IRF540N、FDPF5N50
