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ZNBG4003JA16TC 发布时间 时间:2025/12/26 11:26:55 查看 阅读:53

ZNBG4003JA16TC是一款由Vishay Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、高密度电源管理应用而设计,广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理系统中。其封装形式为双面散热的PowerPAK SO-8L双散热片(Dual Cool)封装,能够有效降低热阻,提高散热性能,从而在高电流工作条件下保持较低的工作温度,提升系统可靠性。
  该MOSFET具有低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss),有助于减少开关损耗,提高高频开关应用中的能效。此外,ZNBG4003JA16TC还具备优良的雪崩能量耐受能力,增强了其在瞬态过压情况下的鲁棒性。器件符合RoHS标准,并且支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。其额定电压为30V,连续漏极电流可达26A(在TC=25°C时),适合中等功率级别的开关电源和同步整流场合使用。

参数

型号:ZNBG4003JA16TC
  制造商:Vishay Semiconductor
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):30 V
  栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id @ 25°C):26 A
  脉冲漏极电流(Idm):104 A
  功耗(Pd):4.2 W
  导通电阻(Rds(on) max @ Vgs = 10V):4.7 mΩ
  导通电阻(Rds(on) max @ Vgs = 4.5V):6.4 mΩ
  阈值电压(Vgs(th)):1.0 V ~ 2.5 V
  输入电容(Ciss):2420 pF
  输出电容(Coss):710 pF
  反向恢复时间(trr):22 ns
  工作结温范围(Tj):-55 °C ~ +150 °C
  封装类型:PowerPAK SO-8L Dual Cool

特性

ZNBG4003JA16TC采用了Vishay先进的TrenchFET技术,这种技术通过优化沟道结构和掺杂分布,显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的乘积(Rds(on) × Qg),从而在高频开关应用中实现更高的效率。该器件的低Rds(on)特性使其在大电流应用中表现出色,尤其是在同步降压转换器中作为下管使用时,能够有效减少传导损耗,提高整体转换效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为4.7mΩ,在Vgs=4.5V时也仅为6.4mΩ,表明其在低驱动电压下仍具备良好的导通能力,兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路。
  该MOSFET采用PowerPAK SO-8L Dual Cool封装,这一创新封装技术允许从器件顶部和底部同时进行散热,极大提升了热传导效率。相较于传统单面散热封装,Dual Cool结构可将热阻(RθJC)降低多达50%,使得即使在高功率密度环境下也能维持较低的结温,延长器件寿命并提高系统稳定性。此外,该封装还减少了寄生电感,有助于抑制开关过程中的电压振荡,提升EMI性能。
  ZNBG4003JA16TC具备出色的动态性能参数,包括低输入电容(Ciss=2420pF)和低输出电容(Coss=710pF),这不仅减少了驱动电路的负担,还降低了开关损耗,特别适用于高频率工作的DC-DC变换器。其反向恢复时间(trr=22ns)较短,配合体二极管的快速响应能力,可在硬开关或同步整流拓扑中减少反向恢复电荷带来的能量损失。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计,能够在瞬态过压或负载突变情况下提供更高的可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适应严苛工业环境下的长期运行需求。同时,产品符合AEC-Q101汽车级认证要求,可用于车载电子系统如车载充电机、DC-DC模块等对可靠性要求极高的场景。

应用

ZNBG4003JA16TC广泛应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电源系统中。典型应用包括同步降压转换器(Buck Converter),特别是在服务器、笔记本电脑、通信设备等高性能计算平台的多相VRM(电压调节模块)中作为低边开关使用,其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并减少发热。
  在DC-DC电源模块中,该器件可用于隔离或非隔离式拓扑结构中的主开关或同步整流开关,尤其适合用于中间母线转换器(IBC)或POL(Point-of-Load)电源设计。由于其优异的热性能和双面散热能力,非常适合高密度PCB布局和有限散热空间的应用场景。
  此外,ZNBG4003JA16TC也常用于电池供电系统中的负载开关控制,例如便携式医疗设备、工业手持终端等,用以实现电源路径管理、上电时序控制及防止反向电流等功能。其快速开启和关闭能力可有效避免电压跌落或浪涌现象。
  在电机驱动领域,该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,作为低端开关元件,提供高效的电流切换能力。同时,其高脉冲电流承载能力(Idm=104A)使其能够应对电机启动瞬间的大电流冲击。
  在汽车电子系统中,该器件可用于车身控制模块、车灯驱动、车载信息娱乐系统的电源管理单元,满足AEC-Q101标准所规定的严苛环境测试要求,确保在高温、振动和电气噪声干扰下的稳定运行。

替代型号

[
   "SiS452DN-T1-GE3",
   "AO4403",
   "IRLHS3442",
   "FDMC887NZ",
   "CSD16404Q5"
  ]

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ZNBG4003JA16TC参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 应用偏压控制器
  • 电流 - 供电43mA
  • 电压 - 供电4.75V ~ 8V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-QSOP