SPD30N03S2L-20G 是一款基于硅技术的 N 沒尔功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种高频和高效率开关应用。该器件采用先进的沟槽式结构设计,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够满足表面贴装的需求,同时提供良好的散热性能。
这款 MOSFET 通常用于电源管理、电机驱动、负载切换、DC-DC 转换器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:19A
导通电阻:2.4mΩ
栅极电荷:6nC
总电容:275pF
功耗:28W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
SPD30N03S2L-20G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on)(典型值为 2.4mΩ),从而显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷 Qg(6nC),有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力和强鲁棒性,确保在恶劣条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 提供出色的热性能和耐热循环能力,适应各种严苛的工作环境。
6. 表面贴装封装(TO-252 DPAK),便于自动化生产和节省空间。
该型号的 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机驱动和控制。
5. 负载切换和保护。
6. 工业自动化设备中的功率开关元件。
由于其高性能和低损耗特点,SPD30N03S2L-20G 成为许多高效率、高频率应用的理想选择。
SPD30N03S2L-16G, IRF3710, FDP15N10