SPD06N80C3是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的高压功率MOSFET。该器件采用N沟道增强型MOSFET技术,适用于高电压和高效率应用场合。其额定电压为800V,能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻,同时具备良好的热稳定性和可靠性。SPD06N80C3广泛用于工业和消费类电子领域中的电源转换、电机驱动以及开关模式电源(SMPS)等场景。
该器件封装形式为TO-247,支持表面贴装或插件安装方式,便于散热设计和集成到复杂电路系统中。由于其高耐压能力,SPD06N80C3在需要承受高电压应力的应用中表现出色,例如PFC(功率因数校正)电路、逆变器及太阳能逆变器等领域。
类型:N沟道MOSFET
额定电压:800V
额定电流:6A
导通电阻(最大值):3.5Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷:35nC
输入电容:1350pF
总功耗:18W
工作温度范围:-55℃至+175℃
SPD06N80C3具有以下显著特性:
1. 高电压承受能力,达到800V,适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻(典型值为3.5Ω),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,提升整体性能。
4. 热稳定性优异,在高温条件下仍能保持可靠的运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 封装形式为TO-247,具备优秀的散热性能,适合大功率应用场景。
7. 具有较高的雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
SPD06N80C3因其高电压特性和低导通电阻,非常适合以下应用:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 功率因数校正(PFC)电路,用于提升电源效率和电网兼容性。
3. 电机驱动器,用于工业自动化设备和家用电器。
4. 太阳能逆变器和风能逆变器,用于可再生能源发电系统。
5. UPS(不间断电源)系统,提供稳定的电力输出。
6. 各种高压开关应用,如电磁阀控制和固态继电器。
7. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的高压组件,例如车载充电器和逆变器模块。
FDP06N80C, IRFBG30N80KDTRPBF, STW80NM60K5