时间：2025/8/25 3:21:27
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HUFA75307T3S3是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和优良的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制及电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约50nC
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
HUFA75307T3S3采用先进的Trench MOSFET技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
该器件的高电流承载能力（110A）使其适用于高功率密度设计，例如同步整流器和电源管理系统。
其栅极电荷（Qg）约为50nC，确保了较快的开关速度，从而降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET的封装形式为D2PAK（TO-263），具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。
此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于汽车电子、工业电源和便携式设备等对可靠性要求较高的场合。
由于其±20V的栅源电压耐受能力，HUFA75307T3S3可在较宽的驱动电压范围内工作，提高了设计的灵活性。
该MOSFET广泛应用于各类电源转换系统，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器。
在服务器电源、通信设备和工业控制系统中，HUFA75307T3S3可作为主开关或同步整流元件，提高系统效率和可靠性。
其高电流和低导通电阻特性使其成为电池管理系统（BMS）中的理想选择，适用于电动工具、储能系统和新能源汽车等领域。
此外，该器件也适用于高功率LED驱动、不间断电源（UPS）以及各种开关电源模块的设计。
SiR344DP-T1-GE3, FDS6680, IRLB8721PBF, FDP6680
