时间：2025/4/29 9:47:21
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SPD02N50C3是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于DMOS功率晶体管系列，主要设计用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高电压切换的应用场景。其耐压高达500V，并具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种工业和消费类电子设备。
SPD02N50C3采用了TO-220封装形式，这种封装能够提供良好的散热性能，适合在较高功率环境下工作。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：2A
导通电阻（典型值）：4.8Ω
栅极电荷：15nC
输入电容：600pF
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
SPD02N50C3具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（BVdss），达到500V，适用于高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，在额定条件下仅为4.8Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关速度，使得其在高频电路中表现优异，同时减少开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围，从-55℃到175℃，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 内部集成ESD保护功能，提高器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. TO-220封装提供了出色的散热性能，便于安装和使用。
SPD02N50C3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关，用于提升效率和稳定性。
3. 电机驱动电路，控制直流电机或步进电机的启动、停止和调速。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED驱动电路，实现高效恒流或恒压输出。
6. 电池充电器和逆变器等电力电子设备中的关键组件。
STP02N50WM, IRF840, FQP12N50
