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SPA20N60C3 发布时间 时间:2025/5/29 10:48:13 查看 阅读:16

SPA20N60C3是一款由Semikron生产的高压功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件专为高效率和高可靠性应用而设计,适用于工业、可再生能源以及汽车电子领域。其耐压值高达600V,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,使其在硬开关和软开关电路中表现出色。
  SPA20N60C3的主要特点包括低栅极电荷、优化的dv/dt性能以及增强的热稳定性,这些特性使其成为高频DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器等应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷(Qg):80nC
  输入电容(Ciss):2300pF
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

SPA20N60C3具备以下显著特性:
  1. 高电压能力,能够承受高达600V的漏源电压,确保在高压环境下的可靠运行。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),典型值为150mΩ,在大电流应用中降低了传导损耗。
  3. 极低的栅极电荷(Qg),有助于提高开关速度并降低开关损耗。
  4. 优化的dv/dt性能,减少开关噪声和寄生振荡。
  5. 增强的热稳定性,能够在高温条件下保持稳定的性能。
  6. TO-247标准封装,便于散热和安装,适合多种功率模块需求。
  7. 符合RoHS环保标准,满足全球市场对绿色电子产品的要求。

应用

SPA20N60C3适用于以下应用场景:
  1. 高频DC-DC转换器,如电信电源和服务器电源。
  2. 工业逆变器和变频器,用于电机控制和能量管理。
  3. 太阳能光伏逆变器,实现高效的能量转换。
  4. 车载充电器和电动车驱动系统。
  5. 开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
  6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

SKM20N120D3, IRFP460, FDP18N60

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SPA20N60C3参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压600 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流20.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)190 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220FP
  • 封装Tube
  • 下降时间4.5 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散34.5 W
  • 上升时间5 ns
  • 典型关闭延迟时间67 ns
  • 零件号别名SP000216354 SPA20N60C3XK SPA20N60C3XKSA1