TGA2813-SM 时间：2025/8/15 22:55:12 阅读：3

TGA2813-SM 是一款由 TriQuint（现为 Qorvo）制造的高性能 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），适用于射频（RF）和微波频率范围内的功率放大器应用。该器件设计用于在 0.5 GHz 至 6 GHz 的宽频率范围内工作，具有高增益、高线性度和良好的热稳定性，适用于通信基础设施、测试设备和军事电子系统等应用。

参数

类型：GaAs FET
　　频率范围：0.5 GHz 至 6 GHz
　　输出功率：典型值 28 dBm（在 2 GHz 下）
　　增益：典型值 16 dB（在 2 GHz 下）
　　电源电压：+8 V 至 +12 V
　　静态电流：约 120 mA（典型值）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

TGA2813-SM 具有优异的宽带性能，可在 0.5 GHz 至 6 GHz 的频率范围内提供高增益和高线性度，适用于多种射频系统设计。
　　其 GaAs 工艺确保了高频性能和低噪声系数，同时提供较高的功率处理能力。
　　该器件采用表面贴装封装，便于自动化生产和高频电路布局，同时具有良好的散热性能。
　　由于其宽频带设计，TGA2813-SM 可广泛应用于多频段或多标准通信系统中，如蜂窝基站、无线本地环路和微波回传系统。
　　此外，TGA2813-SM 具有良好的温度稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作，适合工业和军事级应用。
　　其高线性度使其适用于需要低失真的应用，如正交频分复用（OFDM）系统和宽带通信设备。