时间：2025/5/12 14:23:53
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SPA11N80C3 是一款高性能的 N 沃特型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装形式。这款芯片专为高效率和高频率应用而设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
该器件具有较低的导通电阻和快速的开关特性，可显著提高系统能效并减少发热问题。
型号：SPA11N80C3
VDS（漏源电压）：80V
RDS(on)（导通电阻）：16mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：25A
Qg（总栅极电荷）：40nC
fBS（体二极管正向压降）：1.1V
EAS（雪崩能量）：1.1J
封装形式：DPAK（TO-252）
SPA11N80C3 的主要特点是其低导通电阻和优异的热性能。它能够有效降低传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，该芯片还具备以下特点：
- 快速开关速度，适合高频应用
- 高雪崩能量能力，确保在异常情况下具备更高的可靠性
- 较低的栅极电荷，有助于减少驱动功耗
- 紧凑型表面贴装封装，便于 PCB 设计和自动化生产
- 符合 RoHS 标准，环保且无铅
该芯片适用于各种电力电子领域，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电机控制和驱动
- 太阳能逆变器中的功率转换
- 各类工业自动化设备
- 家用电器中的高效功率管理模块
IPA11N80C3
STP11NM80C3
IRFZ44N
