时间：2025/12/26 19:37:30
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IXGH50N90B2D1是一款由Littelfuse公司生产的高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高电压、高电流的开关应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优点，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。IXGH50N90B2D1采用高速沟道技术制造，具备优异的开关特性和热稳定性，能够在高达900V的集电极-发射极电压下工作，最大连续集电极电流可达50A。该IGBT通常用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热和焊接设备等高功率应用场景。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热器上以实现有效的热管理。此外，该器件还内置了快速恢复二极管，进一步提升了系统效率并简化了外部电路设计。
型号：IXGH50N90B2D1
类型：IGBT
封装：TO-247
集电极-发射极电压（Vces）：900 V
集电极电流（Ic）@25°C：50 A
集电极电流（Icp）脉冲值：100 A
栅极-发射极电压（Vge）：±20 V
功耗（Pd）：300 W
工作结温（Tj）：-55 to 150 °C
阈值电压（Vth）：5.5 V（典型值）
导通延迟时间（td(on)）：60 ns
关断延迟时间（td(off)）：450 ns
存储温度（Tstg）：-55 to 150 °C
二极管正向电压（Vf）：1.8 V（典型值）
开关频率：最高可达50 kHz
IXGH50N90B2D1具备卓越的电气性能和热稳定性，适合在严苛的工业环境中长期运行。其核心优势在于采用了先进的沟道IGBT技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的饱和电压（Vce(sat)）在额定电流下仅为2.0V左右，这意味着在大电流工作条件下仍能保持较低的功耗，减少发热问题。同时，其快速的开关响应能力使得它非常适合高频开关应用，如PWM控制的逆变器系统。器件的栅极驱动要求相对较低，标准+15V驱动即可实现充分导通，简化了驱动电路设计。
另一个关键特性是其内置的超快软恢复二极管，该二极管与IGBT芯片集成在同一封装内，具有低反向恢复电荷（Qrr）和低反向恢复电流（Irr）的特点，有效减少了换流过程中的电磁干扰（EMI）和电压尖峰，提升了系统的电磁兼容性。此外，该二极管的正向压降较低，进一步提升了能量转换效率。这种集成设计不仅节省了PCB空间，还降低了外部元件数量和系统成本。
从可靠性角度看，IXGH50N90B2D1具备优良的短路耐受能力和过载能力，在短时间内可承受超过额定值数倍的电流冲击而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够在极端环境温度下稳定运行，适用于户外或高温工业环境。TO-247封装提供了良好的热传导路径，配合适当的散热器可实现高效的热量散发，延长器件寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。
IXGH50N90B2D1广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在工业领域，常用于交流电机驱动器（变频器）中作为主开关元件，实现对电机速度和转矩的精确控制。在太阳能光伏逆变器中，该IGBT可用于DC-AC转换级，将太阳能板产生的直流电高效转换为交流电并入电网。在不间断电源（UPS）系统中，IXGH50N90B2D1承担着逆变和整流功能，确保在市电中断时能够无缝切换至电池供电，保障关键负载的持续运行。此外，该器件也适用于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼炉等，利用高频交流电流产生涡流实现快速加热。在电焊机中，其高速开关能力可用于构建高效的逆变焊接电源，提升焊接质量和能源利用率。由于其高电压和大电流处理能力，该IGBT还可用于高压电源、电动汽车充电设备以及储能系统中的功率变换模块。
IXGH40N90B2D1
IXGN50N90B2D1
FGL50N90ANTDTU
STGP5NC60KD
