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SPA11N60C3 发布时间 时间:2025/4/29 17:36:22 查看 阅读:26

SPA11N60C3是来自Semikron的一款IGBT模块,采用半桥拓扑结构设计。该模块适用于高功率工业应用和变频器驱动系统,具有低导通损耗和开关损耗的特点。其内部集成了两个IGBT元件及续流二极管,能够承受较高的电压和电流应力,适合在恶劣的电气环境下工作。
  该器件主要面向中高频功率转换领域,例如不间断电源(UPS)、电机驱动、太阳能逆变器等。其封装形式为行业标准的模块化设计,便于安装与散热处理。

参数

额定电压:600V
  额定电流:11A
  集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
  栅极-发射极开启电压:12V
  最大工作结温:-40℃至150℃
  热阻(结到壳):0.4K/W

特性

1. 高效的功率转换能力,适用于高频开关场景。
  2. 内部集成反并联快速恢复二极管,确保更高的效率和稳定性。
  3. 具有较低的开通和关断能量损耗,有助于提高整体系统效率。
  4. 提供出色的短路耐受能力,能够在极端条件下保护电路。
  5. 采用成熟的半桥配置,简化了多相逆变器的设计过程。
  6. 符合RoHS环保标准,确保产品的环境友好性。
  7. 稳定的热性能表现,支持长时间连续运行。
  8. 可靠的绝缘封装设计,增强模块的抗电磁干扰能力。

应用

SPA11N60C3广泛应用于各类功率变换设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业变频器和伺服驱动系统,用于控制电机速度和转矩。
  2. 太阳能光伏逆变器,将直流电转换为交流电以接入电网。
  3. 不间断电源(UPS),为关键负载提供稳定电力供应。
  4. 电动汽车充电站,实现高效能量传输。
  5. 各类焊接设备,提供精确的能量输出控制。
  6. 风力发电变流器,优化风电机组的电能质量。

替代型号

SKM11GB12T4, FZ12N60B3

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SPA11N60C3参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压600 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流11 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.38 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220FP
  • 封装Tube
  • 下降时间5 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散33 W
  • 上升时间5 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间44 ns
  • 零件号别名SP000216312 SPA11N60C3XK SPA11N60C3XKSA1