时间：2025/5/7 13:04:32
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SPA07N65C3 是一款 N 沣道通态 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 STMicroelectronics 生产。该器件采用 TO-220AB 封装，具有高击穿电压和低导通电阻的特性，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
该器件属于 ST 的 PowerMOS 系列，经过优化设计以提供出色的开关性能和较低的功耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
栅极-源极电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值，在 VGS=10V 时）：1.4Ω
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220AB
1. 高电压能力：SPA07N65C3 提供了高达 650V 的漏源电压，使其能够承受高压环境下的应用需求。
2. 低导通电阻：在 VGS=10V 的条件下，其导通电阻仅为 1.4Ω，从而减少了导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能：该器件具有较低的输入电容和输出电荷，可实现快速的开关操作，降低开关损耗。
4. 高可靠性：通过严格的制造工艺和质量控制，确保其在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
5. 热稳定性强：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内正常工作，适合各种工业和汽车级应用。
1. 开关电源 (SMPS)：
SPA07N65C3 因其高耐压和低导通电阻的特性，非常适用于各种类型的开关电源中，如 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：
在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于逆变器电路，以实现高效的电机速度和方向控制。
3. 工业自动化：
包括继电器驱动、电磁阀控制等工业设备中的功率切换功能。
4. 汽车电子：
符合汽车电子对高温和高可靠性的要求，可用于车载充电器、LED 驱动等。
5. 保护电路：
如过流保护、短路保护等功能模块中。
STP07N65FP3
IRFZ44N
FQP17N65
