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SPA07N65C3 发布时间 时间:2025/5/7 13:04:32 查看 阅读:5

SPA07N65C3 是一款 N 沣道通态 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 STMicroelectronics 生产。该器件采用 TO-220AB 封装,具有高击穿电压和低导通电阻的特性,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  该器件属于 ST 的 PowerMOS 系列,经过优化设计以提供出色的开关性能和较低的功耗。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:7A
  栅极-源极电压(最大):±20V
  导通电阻(典型值,在 VGS=10V 时):1.4Ω
  总功耗:160W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-220AB

特性

1. 高电压能力:SPA07N65C3 提供了高达 650V 的漏源电压,使其能够承受高压环境下的应用需求。
  2. 低导通电阻:在 VGS=10V 的条件下,其导通电阻仅为 1.4Ω,从而减少了导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关性能:该器件具有较低的输入电容和输出电荷,可实现快速的开关操作,降低开关损耗。
  4. 高可靠性:通过严格的制造工艺和质量控制,确保其在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
  5. 热稳定性强:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内正常工作,适合各种工业和汽车级应用。

应用

1. 开关电源 (SMPS):
   SPA07N65C3 因其高耐压和低导通电阻的特性,非常适用于各种类型的开关电源中,如 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动:
   在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用于逆变器电路,以实现高效的电机速度和方向控制。
  3. 工业自动化:
   包括继电器驱动、电磁阀控制等工业设备中的功率切换功能。
  4. 汽车电子:
   符合汽车电子对高温和高可靠性的要求,可用于车载充电器、LED 驱动等。
  5. 保护电路:
   如过流保护、短路保护等功能模块中。

替代型号

STP07N65FP3
  IRFZ44N
  FQP17N65

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SPA07N65C3参数

  • 数据列表SP(P,I,A)07N65C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 350µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds790pF @ 25V
  • 功率 - 最大32W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装PG-TO220FP
  • 包装管件
  • 其它名称SP000216305SPA07N65C3INSPA07N65C3XK