类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：80A（单个二极管）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：200A
　　最大正向压降（VF）：0.53V @ 20A, 0.61V @ 40A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 10mA @ 100°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：典型值40°C/W（依PCB布局而定）
　　封装形式：D-Pak（TO-252）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

80CNQ045SL的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构，这种设计显著降低了传统PN结二极管所固有的正向导通压降，从而大幅减少了功率损耗并提高了系统的能量转换效率。与普通快恢复或超快恢复二极管相比，肖特基二极管没有少数载流子的存储效应，因此具备极短的反向恢复时间（trr通常小于10ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这使其在高频开关电源环境中表现尤为出色，有效抑制了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。器件内部集成的两个独立但共阴极连接的肖特基二极管非常适合用于同步整流拓扑中的输出级，例如在多相降压变换器中作为续流和主整流路径使用。每个二极管可承受高达80A的连续平均整流电流，在瞬态负载条件下还能支持最高达200A的峰值脉冲电流，展现出强大的电流处理能力。为了保证长期工作的可靠性，80CNQ045SL的设计充分考虑了热管理问题，其D-Pak封装具有较低的热阻特性，能够通过PCB上的铜箔区域高效地将热量传导出去，避免局部过热导致性能下降或失效。此外，该器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级甚至部分严苛环境下的应用场合。所有电气参数均经过严格筛选和测试，确保产品一致性与批量稳定性。值得一提的是，80CNQ045SL符合AEC-Q101汽车级可靠性认证标准，意味着其不仅可用于消费类电子设备，也能应用于车载电源系统中。
　　在制造工艺方面，安森美采用了优化的金属-半导体接触技术和钝化层保护工艺，提升了器件的抗浪涌能力和长期稳定性。同时，该器件具备良好的抗湿性和耐腐蚀性，适合在高湿度环境下长期运行。对于EMI敏感的应用，其低噪声开关行为有助于简化滤波电路设计，降低整体BOM成本。此外，80CNQ045SL还具备出色的dv/dt耐受能力，防止在快速电压变化下发生误触发或击穿现象。这些综合性能使其成为现代高效电源架构中不可或缺的关键元件之一。

80CNQ045SL主要应用于各类高性能直流电源转换系统中，尤其是在需要高效率和紧凑设计的场合。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）、台式计算机和笔记本电脑中的多相同步整流降压转换器（Buck Converter），用于为核心处理器（CPU）、图形处理器（GPU）和其他高功耗芯片提供稳定的低压大电流供电。在这些应用中，80CNQ045SL常被用作上下管同步整流器的续流路径，替代传统的MOSFET体二极管，以降低导通损耗并提高整体效率。此外，它也被广泛用于通信设备电源、工业控制电源、FPGA和ASIC供电模块中。由于其优异的热性能和电流承载能力，该器件同样适用于电池充电管理系统，特别是在便携式设备和电动工具中实现高效的能量回馈与保护功能。在DC-DC转换器中，80CNQ045SL可以作为输出整流二极管，用于隔离和稳压，尤其在非隔离型拓扑如Buck、Boost和SEPIC电路中有良好表现。其快速开关特性和低反向恢复电荷也使其适用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器中的箝位和续流回路，帮助抑制变压器漏感引起的电压尖峰，保护主开关器件（如MOSFET或IGBT）。在太阳能逆变器和LED驱动电源中，虽然其40V的耐压限制了高压应用，但在低压辅助电源部分仍可发挥重要作用。另外，得益于其符合AEC-Q101标准，该器件还可用于汽车电子系统中的车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块以及车身控制单元的电源管理部分。总之，凡是要求高效率、低发热、小体积和高可靠性的低压大电流整流场景，都是80CNQ045SL的理想应用领域。

MBR80H45CT
　　SB8045
　　SS8045