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SP8M4TB 发布时间 时间:2025/11/8 7:33:33 查看 阅读:5

SP8M4TB是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)以及其他瞬态过电压事件的损害。该器件集成了多个高性能的双向TVS二极管,能够为高速数据线或低功率信号线提供可靠的保护。SP8M4TB采用紧凑型封装设计,适用于空间受限的应用场景,例如便携式消费电子产品、通信设备和工业控制系统等。其主要特点是响应速度快、钳位电压低以及具有优异的可靠性,能够在极端环境下稳定工作。此外,SP8M4TB符合RoHS标准,适合无铅焊接工艺。
  这款器件通常用于接口保护,如USB端口、HDMI连接器、音频线路以及其他需要高抗扰度的信号路径中。由于现代电子设备对电磁兼容性(EMC)的要求日益提高,SP8M4TB凭借其高效的瞬态抑制能力成为理想选择。它不仅可以防止外部浪涌能量进入系统内部造成损坏,还能确保信号完整性不受影响。整体来看,SP8M4TB是一款兼顾性能与成本效益的保护解决方案,特别适用于追求小型化和高可靠性的产品设计。

参数

器件型号:SP8M4TB
  制造商:Littelfuse
  通道数:4
  工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):6.4V
  最大峰值脉冲电流(IPP):2.0A
  最大箝位电压(VC):13.0V @ IPP
  ESD耐受能力(IEC 61000-4-2):±30kV
  接触放电耐受等级:±30kV
  空气放电耐受等级:±30kV
  反向漏电流(IR):1.0μA Max
  结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  引脚数量:6

特性

SP8M4TB具备卓越的瞬态电压抑制性能,其核心优势在于极快的响应时间,通常在皮秒级别,这意味着当系统遭遇突发性高压脉冲时,该器件能迅速导通并将多余能量泄放到地,从而有效保护后级电路不被破坏。这种快速响应机制对于应对日常使用中的静电放电尤为重要,比如人体接触设备接口时可能产生的数千伏静电。同时,其低钳位电压特性确保了即使在大电流冲击下,输出端的电压也能维持在一个安全范围内,避免下游IC因过压而失效。这对于供电电压较低(如3.3V或更低)的现代数字电路尤其关键。
  另一个显著特点是其高ESD耐受能力,达到IEC 61000-4-2标准下的±30kV接触放电和空气放电水平,远超一般消费类电子产品所需的防护等级。这使得SP8M4TB不仅适用于常规应用场景,也可用于工业环境或户外设备中对EMC要求更高的场合。此外,该器件采用双向二极管结构,支持交流信号线路的保护,无需考虑极性接法,提升了设计灵活性。
  SP8M4TB还具有极低的反向漏电流,在正常工作条件下几乎不会对原电路造成负载效应,保证了系统的功耗效率和信号质量。其小尺寸SOT-323封装便于集成到高密度PCB布局中,节省宝贵的板上空间。热稳定性方面,器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行,适应严苛的工作环境。整体设计符合绿色环保标准,不含铅和有害物质,支持回流焊工艺,适合大规模自动化生产。这些综合特性使SP8M4TB成为高速数据接口保护的理想选择。

应用

SP8M4TB广泛应用于各类需要高等级静电防护的电子系统中,尤其是在便携式消费类电子产品领域表现突出。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB 2.0、micro-USB、Type-C等接口的ESD保护,能够有效抵御用户插拔线缆或触摸端口时引入的静电脉冲。此外,它也常用于音频耳机插孔、麦克风输入、按键开关等易受人体静电影响的节点。
  在通信设备方面,SP8M4TB可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485信号线、I2C、SPI等低速总线的瞬态抑制,提升系统在复杂电磁环境下的稳定性。工业控制设备中,如PLC模块、传感器接口、人机界面(HMI)面板等,也需要此类TVS阵列来增强抗干扰能力,确保长期运行的可靠性。
  另外,家用电器中的智能控制板、遥控接收端口以及汽车电子中的车载娱乐系统、车内USB充电口等也是其潜在应用方向。随着物联网(IoT)设备的普及,越来越多的小型化、联网化的终端需要在有限空间内实现高水平的电路保护,SP8M4TB因其体积小、性能强的特点正好满足这一需求。总体而言,凡是存在暴露接口且需防范瞬态电压风险的场景,都是SP8M4TB发挥价值的地方。

替代型号

SP8M4BA-01UTG
  SP8M4BA
  SR0503A

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SP8M4TB参数

  • 制造商ROHM Semiconductor
  • 晶体管极性N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流+/- 9 A, +/- 7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.018 Ohms
  • 配置Dual Dual Drain
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOP-8
  • 封装Reel
  • 下降时间22 ns, 70 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升时间15 ns, 50 ns
  • 典型关闭延迟时间55 ns, 110 ns