时间：2025/7/1 1:58:39
阅读：21
CL32B685MPHNNNE 是一款由 Cypress（现为 Infineon）生产的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片，具有高速数据存储和断电保护功能。该芯片结合了静态随机存取存储器 (SRAM) 和 EEPROM 的特性，在系统断电时能够将 SRAM 中的数据自动保存到非易失性存储器中。广泛应用于需要高可靠性和快速数据访问的工业、医疗及通信设备。
CL32B685MPHNNNE 提供 512K x 36 的存储容量，并采用 TQFP-100 封装形式。
存储容量：512K x 36位
工作电压：1.7V 至 1.9V (核心电压)，2.7V 至 3.6V (I/O 电压)
数据保留时间：超过10年
写入周期：无需额外写入时间
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP-100
CL32B685MPHNNNE 提供非易失性数据存储功能，同时具备 SRAM 的高性能和低功耗特点。
1. 高速数据传输能力，支持高达 150 MHz 的时钟频率。
2. 自动数据保存功能，确保在系统意外断电时，数据不会丢失。
3. 内置电池备份管理模块，可与锂电池协同工作以延长数据保留时间。
4. 数据完整性保护机制，包括 ECC（错误检查与纠正）功能，提升可靠性。
5. 支持硬件和软件复位，便于灵活系统设计。
6. 具有低功耗待机模式，减少能量消耗。
CL32B685MPHNNNE 主要应用于对数据安全和访问速度要求较高的领域：
1. 工业自动化控制设备中的配置参数存储。
2. 医疗设备如监护仪、超声波设备中的实时数据记录。
3. 通信网络设备中的缓存和日志记录。
4. 汽车电子系统中的关键数据存储。
5. 数据采集和监控系统中的快速数据缓冲区。
其非易失性特性和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。
CY14B104MNLC, CY14B104PNXC
