CL32B685MPHNNNE 是一款由 Cypress(现为 Infineon)生产的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片,具有高速数据存储和断电保护功能。该芯片结合了静态随机存取存储器 (SRAM) 和 EEPROM 的特性,在系统断电时能够将 SRAM 中的数据自动保存到非易失性存储器中。广泛应用于需要高可靠性和快速数据访问的工业、医疗及通信设备。
CL32B685MPHNNNE 提供 512K x 36 的存储容量,并采用 TQFP-100 封装形式。
存储容量:512K x 36位
工作电压:1.7V 至 1.9V (核心电压),2.7V 至 3.6V (I/O 电压)
数据保留时间:超过10年
写入周期:无需额外写入时间
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TQFP-100
CL32B685MPHNNNE 提供非易失性数据存储功能,同时具备 SRAM 的高性能和低功耗特点。
1. 高速数据传输能力,支持高达 150 MHz 的时钟频率。
2. 自动数据保存功能,确保在系统意外断电时,数据不会丢失。
3. 内置电池备份管理模块,可与锂电池协同工作以延长数据保留时间。
4. 数据完整性保护机制,包括 ECC(错误检查与纠正)功能,提升可靠性。
5. 支持硬件和软件复位,便于灵活系统设计。
6. 具有低功耗待机模式,减少能量消耗。
CL32B685MPHNNNE 主要应用于对数据安全和访问速度要求较高的领域:
1. 工业自动化控制设备中的配置参数存储。
2. 医疗设备如监护仪、超声波设备中的实时数据记录。
3. 通信网络设备中的缓存和日志记录。
4. 汽车电子系统中的关键数据存储。
5. 数据采集和监控系统中的快速数据缓冲区。
其非易失性特性和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。
CY14B104MNLC, CY14B104PNXC