SP8K33-TB 时间：2025/6/29 10:27:40 阅读：6

SP8K33-TB是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为TO-263（DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），能够有效节省PCB空间并提高可靠性。
　　SP8K33-TB具有极佳的动态性能，支持高频开关操作，同时其耐压能力达到60V，使其适合在中低压应用场景中使用。此外，该器件内置了ESD保护功能，增强了在恶劣环境下的稳定性。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vdss)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：33A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　总功耗(Ptot)：70W
　　结温范围(Tj)：-55°C to +175°C
　　封装形式：TO-263 (DPAK)
　　工作频率：高达1MHz

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力（33A）使得SP8K33-TB非常适合大功率应用。
　　3. 内置ESD保护功能，提高了器件在实际应用中的抗静电能力。
　　4. 支持高频开关操作，能够满足现代电力电子设备对效率和速度的需求。
　　5. 采用DPAK封装，便于自动化生产和焊接，同时具备良好的散热性能。
　　6. 广泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）确保了器件在极端条件下的可靠运行。

应用

SP8K33-TB主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
　　2. 电机驱动电路中的开关元件。
　　3. 工业控制设备中的负载切换。
　　4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
　　5. 充电器和适配器设计中的关键功率元件。
　　6. 逆变器和UPS不间断电源系统中的功率输出级。