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MPS2907ARLRPG 发布时间 时间:2025/6/19 6:29:50 查看 阅读:1

MPS2907ARLRPG是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用SOT-23封装。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于各种便携式设备和消费电子应用中的负载开关、同步整流以及电源管理电路。其额定电压为30V,能够承受较高的瞬态电压,同时具备出色的热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(Rds(on)):140mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:6nC(典型值)
  总电容:28pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

MPS2907ARLRPG采用了先进的半导体制造工艺,确保了低导通电阻的同时维持较小的封装尺寸。其主要特点包括:
  1. 超低的导通电阻,可有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间,非常适合紧凑型设计。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
  5. 宽泛的工作温度范围,保证在极端环境下的可靠运行。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
  2. 同步整流电路,用于提高DC-DC转换器的效率。
  3. 开关电源(SMPS)中的次级侧整流。
  4. 电池供电设备中的保护电路。
  5. 工业控制和汽车电子中的信号切换与功率传输。
  由于其优异的电气特性和紧凑的外形,MPS2907ARLRPG成为许多高效能、小型化设计的理想选择。

替代型号

MPS2907CLT1G, BSS138PW, FDN327P

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MPS2907ARLRPG参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.6V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带盒(TB)