MPS2907ARLRPG是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用SOT-23封装。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于各种便携式设备和消费电子应用中的负载开关、同步整流以及电源管理电路。其额定电压为30V,能够承受较高的瞬态电压,同时具备出色的热性能和可靠性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻(Rds(on)):140mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
栅极电荷:6nC(典型值)
总电容:28pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至150℃
MPS2907ARLRPG采用了先进的半导体制造工艺,确保了低导通电阻的同时维持较小的封装尺寸。其主要特点包括:
1. 超低的导通电阻,可有效降低功耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间,非常适合紧凑型设计。
4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
5. 宽泛的工作温度范围,保证在极端环境下的可靠运行。
这款MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 同步整流电路,用于提高DC-DC转换器的效率。
3. 开关电源(SMPS)中的次级侧整流。
4. 电池供电设备中的保护电路。
5. 工业控制和汽车电子中的信号切换与功率传输。
由于其优异的电气特性和紧凑的外形,MPS2907ARLRPG成为许多高效能、小型化设计的理想选择。
MPS2907CLT1G, BSS138PW, FDN327P