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SP8K1TB 发布时间 时间:2025/6/27 10:50:48 查看 阅读:12

SP8K1TB 是一款高性能的存储芯片,主要用于需要大容量数据存储的应用场景。该芯片采用先进的闪存技术,提供高可靠性和快速的数据读写能力。它广泛应用于消费电子、工业控制、网络通信等领域。
  该芯片支持多种接口协议,具备低功耗和高耐用性的特点,能够满足不同环境下的存储需求。

参数

类型:NAND Flash
  容量:8GB
  接口:SPI
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOP8
  擦写寿命:3000次
  数据保持时间:10年

特性

SP8K1TB 具有以下主要特性:
  1. 大容量存储:提供高达 8GB 的存储空间,适合需要大容量存储的应用场景。
  2. 高速数据传输:通过 SPI 接口实现快速的数据读写操作,确保高效的数据处理能力。
  3. 低功耗设计:在待机和工作状态下均具有较低的功耗,延长设备的续航时间。
  4. 宽温范围支持:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。
  5. 高可靠性:经过严格测试,确保数据存储的安全性和可靠性。
  6. 小型化封装:采用 SOP8 封装形式,节省 PCB 空间,便于设计布局。

应用

SP8K1TB 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如数码相机、便携式媒体播放器等。
  2. 工业自动化:用于数据记录和程序存储。
  3. 网络通信设备:例如路由器、交换机中的固件存储。
  4. 嵌入式系统:作为嵌入式设备的外部存储扩展。
  5. 医疗设备:用于保存患者数据和诊断信息。
  6. 汽车电子:支持导航系统和行车记录仪的数据存储功能。

替代型号

SP8K1TA, MX25L6406E, W25Q64FV

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SP8K1TB参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C51 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds230pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP8K1TB-NDSP8K1TBTR