时间：2025/9/6 21:47:05
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SP14N002 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面条形沟槽栅技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适用于工业电源、电机驱动、DC-DC转换器和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：14A（在Tc=25°C）
功耗（Ptot）：3.6W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB、D2PAK（TO-263AB）
SP14N002具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在2.2mΩ以下，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该器件采用STMicroelectronics的先进技术，确保了良好的热管理和可靠性。其高电流容量和低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了系统效率。
此外，SP14N002具备良好的抗雪崩能力，能够在高能量脉冲条件下保持稳定工作，适用于高可靠性要求的应用场景。该MOSFET的封装设计优化了散热性能，使其在高功率密度应用中具有优势。
SP14N002广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器和电机驱动电路。此外，它也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、电信设备和消费类电子产品中的功率控制部分。由于其良好的热性能和高可靠性，该器件在要求高效率和稳定性的应用中表现优异。
IRF1405、Si4410BDY、FDMS86101、FDPF14N002
