时间：2025/8/11 10:23:11
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SON020112YTR 是一款由 Silicon ON Semiconductor（安森美半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高电流承载能力的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：最大10.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
功率耗散（Pd）：4W
SON020112YTR 具有低导通电阻，能够显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。
其先进的沟槽式技术不仅优化了器件的导通性能，还提升了开关速度，使得该MOSFET在高频操作中表现良好。
此外，该器件采用了PowerPAK SO-8封装，具有良好的热管理能力，能够在高电流负载下保持稳定工作温度。
SON020112YTR 的栅极驱动电压范围较宽，支持10V标准驱动器使用，同时也兼容低电压控制器，适合多种应用场景。
该MOSFET还具有良好的耐用性和可靠性，适用于苛刻的工作环境。
SON020112YTR 常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、电源管理模块等电源电子设备中。
其高电流能力使其成为高性能计算设备、服务器电源、工业自动化系统、便携式电子设备以及汽车电子系统的理想选择。
在DC-DC转换器中，该器件能够有效降低功率损耗，提高转换效率；在电池管理系统中，可用于实现高精度的充放电控制。
由于其优异的热性能和小尺寸封装，SON020112YTR 也适用于空间受限的设计，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413PBF, AO4406A
