容量：4GB（4GB = 4096MB）
　　位宽：1024位
　　最大频率：3.6Gbps
　　电压：1.3V
　　封装类型：FCBGA（倒装芯片球栅阵列）
　　温度范围：0°C至+95°C
　　接口：HBM2E
　　封装尺寸：约12mm x 12mm
　　制造工艺：先进堆叠封装技术

H9TKNNN4GDAPLR-NGH 是一款高性能的HBM2E内存芯片，其核心优势在于其极高的数据传输速率和带宽。该芯片的带宽可达到每秒92GB（基于1024位宽和3.6Gbps速率计算），显著高于传统GDDR6或DDR5内存。由于采用了3D堆叠封装技术，多个DRAM芯片通过TSV（Through Silicon Via，硅通孔）垂直连接，这不仅提高了内存密度，还减少了信号延迟和功耗。
　　该芯片的工作电压为1.3V，相对节能，适用于高密度内存需求的设备。封装形式为FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array），确保良好的电气性能和散热能力。其工作温度范围宽广，适合在严苛的工业和服务器环境中运行。
　　此外，HBM2E接口设计优化了内存访问效率，使得GPU和AI加速器能够更高效地处理大规模并行数据。H9TKNNN4GDAPLR-NGH 的封装尺寸约为12mm x 12mm，非常适合空间受限的高性能设备，如高端显卡、AI加速卡和高性能计算模块。

H9TKNNN4GDAPLR-NGH 主要应用于需要极高内存带宽和低延迟的高端计算设备。典型应用包括：高性能计算（HPC）系统、图形处理单元（GPU）、AI加速器（如深度学习训练和推理芯片）、数据中心服务器、超级计算机、游戏显卡以及需要大量数据处理能力的嵌入式系统。由于其优异的性能和紧凑的封装设计，这款芯片也适用于下一代AI芯片和FPGA（现场可编程门阵列）的高速缓存扩展。

H9TKNNN4GDAPLR-NAC