类型：MOSFET（N 沟道）
　　配置：双路
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：600mA（每通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ Vgs=4.5V；1.2Ω @ Vgs=2.5V
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-23

SOD4005T-SH 具有多个关键特性，使其在低电压功率管理应用中表现出色。首先，其双路 N 沟道 MOSFET 结构允许在单个封装中实现两个独立的开关控制，从而节省 PCB 空间并简化设计。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　此外，SOD4005T-SH 支持在低栅极电压下运行，例如在 Vgs=2.5V 时仍能保持较低的 Rds(on)，这使其适用于由低压微控制器或逻辑电路驱动的应用场景。该器件的 SOT-23 小型封装形式不仅适用于空间受限的设计，而且具有良好的热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
　　在电气性能方面，SOD4005T-SH 提供了较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高系统效率。同时，其最大漏源电压为 20V，能够满足多种低压电源系统的需求，如电池供电设备、USB 电源管理、负载开关等应用场景。

SOD4005T-SH 被广泛应用于多个电子系统领域。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它被用于负载开关、电源路径管理和电池充放电控制。在电源管理模块中，该器件可用于同步整流、DC-DC 降压/升压转换器和稳压器设计，以提高能效和减小电路体积。
　　此外，SOD4005T-SH 适用于电机控制电路中的低侧开关，特别是在小型直流电机、步进电机和风扇控制中。其双路结构也使其成为 LED 驱动、传感器控制和 GPIO 扩展等应用的理想选择。由于其高可靠性和宽工作温度范围，SOD4005T-SH 也被用于工业控制设备、自动化系统和车载电子系统中的功率开关应用。

Si2302DS, 2N7002, FDV301N, BSS138