时间：2025/8/6 15:21:59
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INN4072C-H183-TL 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了出色的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及马达控制等多种应用场合。该 MOSFET 封装为 TO-252（DPAK），具有良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（Id）：70A（Tc）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.8mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252（DPAK）
INN4072C-H183-TL 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和卓越的开关性能，使其成为高性能功率应用的理想选择。其采用的沟槽技术有助于降低导通损耗，同时提高器件的效率。此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。该器件的栅极驱动设计优化，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。INN4072C-H183-TL 还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在过载或短路情况下提供更高的可靠性。
INN4072C-H183-TL 的封装设计具有良好的散热性能，TO-252（DPAK）封装允许表面贴装（SMT），提高了生产效率和可靠性。此外，该封装结构在 PCB 上占用的空间较小，适合紧凑型电源设计。由于其高耐流能力和低导通电阻，INN4072C-H183-TL 非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器、电池管理系统以及工业控制中的高侧和低侧开关应用。
INN4072C-H183-TL 主要用于高性能电源系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率、高功率密度的设计。此外，该器件还可用于电源管理模块、服务器电源、工业自动化设备、汽车电子系统以及 UPS（不间断电源）等应用领域。
Si7461DP-T1-GE, IPD90N03S4-03
