晶体管类型：双 NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　电流增益（hFE）：110 @ Ic=2mA, Vce=5V
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD4004（SOT-363）

SOD4004T-SH 是一款高性能双 NPN 晶体管阵列，其封装小巧，非常适合空间受限的应用场景。该器件具有较高的电流增益（hFE），在 Ic=2mA 且 Vce=5V 的测试条件下，hFE 值可达 110，适用于高精度信号放大和低噪声前置放大电路。
　　该晶体管的工作频率可达 250MHz（fT），适合中高频模拟和数字信号处理应用。其最大集电极电流为 100mA，适用于低功耗开关和驱动电路。此外，SOD4004T-SH 的 SOT-363 封装具有良好的热稳定性和机械强度，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件的功耗为 200mW，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和焊接。每个晶体管的引脚排列清晰，可方便地集成到 PCB 设计中。SOD4004T-SH 在设计上采用了低噪声、高稳定性的结构，确保在低电压供电系统中仍能保持优异的性能表现。

SOD4004T-SH 主要用于需要双晶体管配置的电子电路中，例如音频放大器的前置级、逻辑电平转换、开关控制电路、传感器信号调理以及便携式设备中的低功耗放大和驱动电路。
　　由于其高增益和中高频响应特性，该器件常用于无线通信模块中的射频（RF）放大电路和数据采集系统中的模拟信号放大环节。此外，在嵌入式系统中，SOD4004T-SH 可用于驱动 LED、继电器或小型电机等外围设备。
　　在汽车电子领域，SOD4004T-SH 可用于车身控制模块（BCM）中的信号放大和开关控制，例如车窗控制、灯光调节和仪表显示驱动等。其 SOT-363 小型封装也适用于可穿戴设备和智能手机中的传感器接口电路。

BC847BDS, MMBT2222ALT1G, 2N3904, 2N2222A, DMMT3904W