SOD1E4是一种基于硅外延工艺制造的高速开关二极管,广泛应用于高频电路中。其设计旨在提供快速的开关性能和较低的正向电压降。这种二极管适用于多种电子设备,包括电源电路、信号处理电路以及高频滤波器等。
SOD1E4采用小型化封装设计,能够有效节省PCB空间,同时保持较高的电气性能。它的快速恢复特性和低反向漏电流使其在现代电子产品中成为一种常见的选择。
最大反向工作电压:100V
最大正向电流:200mA
最大峰值正向浪涌电流:2A
正向电压降:0.85V(@If=10mA)
反向恢复时间:4ns
结电容:3pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
SOD1E4具备优异的高频性能,能够在高达1GHz的应用场景下稳定工作。
它采用了肖特基势垒技术,使得反向恢复时间极短,仅为4纳秒,非常适合高频开关应用。
此外,该器件具有较低的结电容,这有助于减少信号失真并提高电路的整体效率。
其小型化的SOD-123FL封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,适用于对尺寸敏感的设计。
SOD1E4主要用于高频整流、逆变器电路、高频信号检波以及各种高速开关应用。
它可以集成到DC-DC转换器、通信设备中的射频模块以及消费类电子产品的电源管理单元中。
此外,由于其快速恢复特性和低反向漏电流,SOD1E4也适合用于汽车电子、工业控制和医疗设备等高可靠性领域。
SOD320E, BAT85, 1SS367