SN74ACT16374-EP 是一种高性能的 32 位透明锁存器和三态缓冲器,采用先进的硅栅 CMOS 技术制造。该器件具有低功耗、高速度和高噪声容限的特点,适用于各种数字电路应用。它特别设计用于需要增强抗辐射能力的应用场景,例如航天、卫星通信以及工业控制等环境。该芯片具有极高的可靠性,并能在极端温度范围内稳定工作。
该器件由四个独立的 8 位锁存器/三态缓冲器组成,每个部分都可单独启用或禁用。其输入输出结构允许直接与 TTL 和 CMOS 逻辑兼容。
电源电压:1.65V 至 3.6V
传播延迟时间:5ns(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:TQFP (48 引脚)
输入电流:±20mA
输出电流:±24mA
静态功耗:5μW(最大值,典型条件下)
SN74ACT16374-EP 的主要特性包括:
1. 高速性能:由于采用了 ACT(Advanced CMOS Technology)工艺,该芯片可以实现极短的传播延迟时间,适合高频应用。
2. 增强型抗辐射能力:此版本后缀为 '-EP',表示经过了专门的抗辐射加固处理,能够有效抵抗单粒子翻转效应和其他空间辐射影响。
3. 宽工作电压范围:支持 1.65V 到 3.6V 的宽电源电压范围,使其兼容多种系统供电需求。
4. 极低功耗:即使在高频运行下,芯片仍然保持较低的动态功耗,非常适合对功耗敏感的设计。
5. 高温稳定性:能够在 -55°C 至 +125°C 的工业级温度范围内可靠运行。
6. 兼容性:与标准 CMOS 和 TTL 输入输出电平完全兼容,简化了系统集成过程。
7. 独立控制功能:每个 8 位模块都可以通过独立的使能引脚进行控制,提供灵活的操作模式。
SN74ACT16374-EP 芯片广泛应用于以下领域:
1. 航空航天电子设备:如卫星通信系统、飞行控制系统等。
2. 工业自动化:用于恶劣环境下工作的工业控制器、数据采集系统。
3. 医疗设备:需要高度可靠性和低功耗特性的医疗成像或监测设备。
4. 军事通信:包括无线电收发器、加密设备等。
5. 数据存储系统:作为接口缓冲器或寄存器,用于管理数据流。
6. 测试测量仪器:例如示波器、信号发生器等精密测试设备。
SN74ACT16374PWR
SN74ACT16374
SN74ACT16374DGKR