SN54ABT16373A 是一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有低功耗和高可靠性的特点。该器件采用先进的半导体工艺制造,适合用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场合。
这款芯片提供16K x 18 的存储容量,总共288K位的存储空间。它设计用于工业、通信以及消费类电子领域,广泛应用于各种需要高效数据处理的场景。
存储容量:16K x 18
总存储位数:288K位
工作电压:4.5V 至 5.5V
访问时间:9ns(典型值)
数据保留时间:无限(在规定的工作条件下)
封装类型:44引脚塑料四方扁平封装(PQFP)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
静态电流:5mA(最大值,典型值为3mA)
动态电流:40mA(最大值)
SN54ABT1637>1. 高速操作能力,支持9ns的快速访问时间。
2. 内置自动功率降低模式,在不使用时能够显著减少功耗。
3. 提供单周期写入功能,可以实现快速的数据更新。
4. 强大的抗噪性能,能够在复杂的电磁环境中保持正常工作。
5. 支持异步读/写操作,简化了与处理器或其他外设的接口设计。
6. 可靠性高,满足工业级标准,适用于严苛环境下的长时间运行。
SN54ABT16373A适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 工业控制设备中的临时数据存储。
2. 网络路由器和交换机中的缓存管理。
3. 图形处理器中的帧缓冲区存储。
4. 医疗设备中的数据记录与处理。
5. 消费类电子产品如打印机和扫描仪中的数据暂存。
6. 测试测量仪器中高速数据采集的临时存储。
SN74ABT16373A