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SMV1245-011LF 发布时间 时间:2025/8/22 9:27:11 查看 阅读:118

SMV1245-011LF 是一款由 Skyworks Solutions 公司生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),专门设计用于射频(RF)和微波频率范围内的低噪声放大应用。该器件采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,具有出色的噪声性能和高线性度,适用于通信系统、测试设备和无线基础设施等领域。

参数

频率范围:10 MHz - 6 GHz
  工作电压:3 V(典型值)
  电流消耗:40 mA(典型值)
  噪声系数:0.45 dB(典型值,6 GHz)
  增益:18 dB(典型值,6 GHz)
  输出IP3:28 dBm(典型值)
  封装类型:6引脚 SOT-89
  输入/输出阻抗:50Ω

特性

SMV1245-011LF 具有卓越的低噪声性能,在6 GHz频率下噪声系数低至0.45 dB,使其成为高性能接收机前端的理想选择。该器件的增益在6 GHz下可达到18 dB,同时具备良好的线性度,输出三阶交调截距(IP3)为28 dBm,确保信号的高保真度。其工作电压为3 V,电流消耗为40 mA,具有较低的功耗特性,适用于便携式和电池供电设备。
  此外,该FET采用6引脚SOT-89封装,具有良好的热管理和机械稳定性,能够在较高的环境温度下稳定工作。由于其宽频带特性(10 MHz至6 GHz),该器件可广泛应用于多频段或多标准通信系统中,如Wi-Fi、WiMAX、LTE和蜂窝网络等。
  SMV1245-011LF 无需外部匹配元件即可实现50Ω输入/输出阻抗匹配,简化了电路设计并减少了PCB空间占用,提高了系统的可靠性和可制造性。

应用

SMV1245-011LF 主要用于需要低噪声放大和高线性度的射频前端电路中,常见于无线基站、移动通信设备、卫星通信系统、测试测量仪器以及高性能接收机中。其宽频带特性和低功耗设计也使其适用于物联网(IoT)设备、软件定义无线电(SDR)平台和雷达系统等新兴技术领域。

替代型号

AMMP-6401, ATF-54143, BGA2823, BFU550

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SMV1245-011LF参数

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  • 价格3,000 : ¥3.75996卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 电容比-
  • 电容比条件-
  • 电压 - 峰值反向(最大值)-
  • 二极管类型-
  • 不同 Vr、F 时 Q 值-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-