您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SMV1215-011LF

SMV1215-011LF 发布时间 时间:2025/8/22 2:42:45 查看 阅读:11

SMV1215-011LF 是一款由 Skyworks Solutions 公司制造的 GaAs(砷化镓)单片微波集成电路(MMIC)功率倍频器,常用于将射频信号从一个频率倍频到更高的频率。该器件采用先进的 GaAs 工艺制造,具有高线性度、高输出功率和低谐波失真的特点。SMV1215-011LF 特别适用于需要从低频信号生成高频信号的应用场景,例如通信系统、测试设备、雷达系统以及工业控制系统等。该器件采用表面贴装封装,便于集成到射频模块中。

参数

工作频率范围:1.5 GHz - 3 GHz
  输入频率范围:1.5 GHz - 3 GHz
  输出频率范围:3 GHz - 6 GHz
  输出功率:典型值 +10 dBm
  谐波抑制:>20 dBc
  输入功率范围:+3 dBm 至 +7 dBm
  电源电压:5V
  电流消耗:典型值 100 mA
  封装类型:6 引脚 SOT-89
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SMV1215-011LF 是一款高性能的倍频器芯片,具备出色的频率转换能力。其核心功能是将输入的射频信号倍频至两倍频率,同时保持较低的谐波失真。该器件内部集成了 GaAs FET 晶体管和倍频电路,能够在无需外部滤波器的情况下提供高质量的输出信号。由于其高集成度设计,SMV1215-011LF 不需要复杂的外部匹配电路,从而简化了系统设计并减少了 PCB 面积。
  该器件具有良好的温度稳定性,能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和军用级应用。其 6 引脚 SOT-89 封装形式支持表面贴装工艺,便于大批量生产。此外,SMV1215-011LF 的输入功率范围适中,推荐输入功率在 +3 dBm 至 +7 dBm 之间,以确保最佳的输出性能和稳定性。
  该倍频器具有较低的电流消耗,典型值为 100 mA,在 5V 电源供电下能够提供较高的效率。这一特性使其适用于便携式和低功耗应用。此外,SMV1215-011LF 的输出功率典型值为 +10 dBm,足以满足大多数中高频系统的信号源需求。

应用

SMV1215-011LF 主要应用于需要将射频信号倍频至更高频率的场合。在无线通信系统中,它可用于生成本地振荡器(LO)信号或中频信号,以支持高频段的信号处理。在测试与测量设备中,如信号发生器和频谱分析仪,该器件可用于扩展信号源的频率范围。此外,SMV1215-011LF 也广泛用于雷达系统、微波通信设备以及工业控制和监测系统中。
  在卫星通信和微波回传系统中,该倍频器可用于将中频信号上变频至所需的高频段,例如 Ku 波段或 K 波段。在无线基础设施中,SMV1215-011LF 可用于基站或远程射频单元中,以支持多频段操作。其紧凑的封装形式和低功耗特性也使其适用于无人机、物联网(IoT)设备以及其他需要高频信号源的嵌入式系统。

替代型号

HMC394MS8C, MAX2623EKA+, PE3312

SMV1215-011LF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价